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HF1BKM > TECHNIK  30.04.01 04:09l 31 Lines 1595 Bytes #999 (999) @ ALLE
BID : U41NB1BKM002
Read: HF1BKM HF1MBL FS1KOL BL1AIB RS2BKM OW1BKM MZ1AIB IN1BKM
Subj: Nanotube
Path: NB1BKM
Sent: 010430/0109z @:NB1BKM.#RO.OBB.BAY.DEU [Bruckmuehl JN57XV] BCM1.42_cb5
From: HF1BKM @ NB1BKM.#RO.OBB.BAY.DEU  (Franz)
To:   TECHNIK @ ALLE

            Durchbruch bei Herstellung von Nanotube-Transistoren

IBM-Wissenschaftler haben einen Prozess entwickelt, um mit so genannten 
Carbon-Nanotubes Feldeffekttransistoren von der Groesse von nur rund 10 Atomen
herzustellen – gut 500-mal kleiner als bisherige Transistoren. In der neuesten
Ausgabe von Science (Vpl 292, Ussue 5517) vom 27. April 2001 berichten 
Wissenschaftler aus dem IBM Watson Research Laboratoy in Yorktown von
ihren Erfolgen mit einem Verfahren, das sie "konstruktive Destruktion"
getauft haben. 

Nanotubes sind langgezogene Roehrchen von nur rund einem Nanometer Durchmesser, 
die aus zahlreichen miteinander verknuepften Ringen von jeweils sechs 
Kohlenstoff-Atomen bestehen. Je nach interner Struktur koennen sie leitend
"metallisch" oder halbleitend sein. Dass man mit den halbleitenden Roehrchen
kleinste Schalter realisieren kann, hatten Wissenschaftler der Harvard
University schon vor rund einem Jahr bewiesen (siehe auch "Rechnen mit
Nanostaebchen", c't 15/00, S. 40). 

Die IBM-Wissenschafter koennen mit ihrer konstruktiven Destruktion nun
ganze Arrays solcher Schalter auf der Oberflaeche eines oxidierten Silizium-
Wafers herstellen, indem sie von den bei der Herstellung gemeinsam 
entstehenden metallischen und halbleitenden Nanotubes gezielt die metallischen
zerstoeren. Mit diesem Verfahren koennte der Grundstein fuer eine voellig neue, 
auf Kohlenstoff beruhende Halbleitertechnologie gelegt sein, mit der sich in
einigen Jahren Speicher in Terabit-Regionen und sehr schnelle Prozessoren
realisieren lassen. 

Quelle: www.heise.de

73 vom Franz



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