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DHH841 > TECHNI   11.01.04 00:44l 41 Lines 1915 Bytes #999 (0) @ DEU
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Durchbruch bei Entwicklung kleiner Transistoren

Wissenschaftlern der Technischen Universitaeten in Clausthal (Niedersachsen) 
und Wien ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer 
und damit leistungsfaehigerer Transistoren gelungen.

Wie die Hochschulen am Mittwoch mitteilten, erforschten die Experten mit 
Computersimulationen die Wirkungsweise von Strontiumtitanat. Im Gegensatz zu 
dem bisher verwendeten Siliziumoxid behaelt die neue Substanz auch in extrem 
duennen Lagen ihre isolierende Eigenschaft.

Forscher bemuehen sich seit Jahren um die Entwicklung kleinerer Transistoren. 
"Je kleiner die Transistoren sind, desto schneller koennen sie schalten", 
erlaeuterte Professor Peter Bloechl von der TU Clausthal. So wuerden auch die 
Prozessoren immer schneller. Damit ein Transistor funktioniert, benoetige man 
eine duenne, isolierende Schicht, das so genannte Gatteroxid. Diese Schicht 
werde in wenigen Jahren nur noch ein Fuenfzigtausendstel eines menschlichen 
Haares dick sein, sagte Bloechl.

Mit dem bislang als Gatteroxid benutzten Siliziumdioxid lassen sich die 
Transistoren nach den Worten Bluechls auf Dauer aber nicht mehr verkleinern. 
Der Stoff verliere seine isolierenden Eigenschaften, wenn er nur noch wenige 
Atomlagen dick sei. Im Transistor entstehe dann "eine Art Kurzschluss".

Quelle: 2003 DPA

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